[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200710088742.4 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043033A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 园原英雄;樱林太郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/485;H01L23/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明可以使半导体集成电路装置中的配线性提高、配线层数减少和电源强化。本发明的半导体集成电路装置具有：配置在半导体芯片上的多个电源垫片(4b、4c、4g、4h)和配置在半导体芯片上，并且宽度窄于电源垫片的多个信号垫片(4a)。信号垫片和电源垫片配置在多个配线层中的最上位配线层上。对IO单元和信号垫片进行电连接的信号配线(4d)配置在最上位配线层上。对IO单元和第一电源垫片(4b、4c)进行电连接的第一电源配线(4e、4f)配置在最上位配线层上。对内部电路和第二电源垫片(4g、4h)进行电连接的第二电源配线(4i、4j)配置在最上位配线层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具有：配置在半导体芯片上的多个电源垫片；和配置在上述半导体芯片上，并且宽度比上述电源垫片窄的多个信号垫片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088742.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：通信终端以及重发控制方法
- 下一篇：燃料电池系统以及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
