[发明专利]画素结构及其制造方法有效
申请号: | 200710087675.4 | 申请日: | 2007-03-13 |
公开(公告)号: | CN101266372A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 陈建宏 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 台湾省台南县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种画素结构,其特点是,包括一薄膜晶体管、一画素电极及一扫描线。薄膜晶体管具有一栅极、一源极及一漏极,画素电极与漏极耦接。扫描线包括第一扫描金属层、第一扫描绝缘层、第二扫描金属层及第三扫描金属层。第一扫描金属层连接栅极,第一扫描绝缘层设置于第一扫描金属层上,第二扫描金属层设置于第一扫描绝缘层上。第二扫描绝缘层设置于第二扫描金属层上,第三扫描金属层连接第一扫描金属层及第二扫描金属层。可以提高整体画素结构的开口率。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种画素结构,其特征在于,包括:一薄膜晶体管,具有一栅极、一源极及一漏极;一画素电极,与所述漏极耦接;以及一扫描线,包括:一第一扫描金属层,连接所述栅极;一第一扫描绝缘层,设置于所述第一扫描金属层上;一第二扫描金属层,设置于所述第一扫描绝缘层上;一第二扫描绝缘层,设置于所述第二扫描金属层上;及一第三扫描金属层,连接所述第一扫描金属层及所述第二扫描金属层。
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