[发明专利]开口与介层窗开口的制造方法有效
申请号: | 200710079121.X | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101246844A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 韩敬仁;罗文勋;邱永汉 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵燕力 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种开口的制造方法,先提供衬底,衬底上已形成有导电部与介电层,导电部由下而上至少包括导体层与保护层,介电层覆盖住导电部。使用含有高聚合物气体的反应气体对介电层进行第一干式刻蚀步骤,于保护层上形成开口,开口底部具有初始尺寸,且开口底面与开口内壁夹一钝角。接着再进行开口扩大步骤,使开口底部达到一目标尺寸,目标尺寸大于初始尺寸,且开口至少未裸露出导体层。 | ||
搜索关键词: | 开口 介层窗 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种开口的制造方法,其特征在于该制造方法包括:提供一衬底,该衬底上已形成有一导电部与一介电层,该导电部由下而上至少包括一导体层与一保护层,该介电层覆盖住该导电部;使用含有一高聚合物气体的一反应气体对该介电层进行一第一干式刻蚀步骤,于该保护层上形成一开口,该开口底部具有一初始尺寸,且该开口底面与该开口内壁夹一钝角;进行一开口扩大步骤,使该开口底部达到一目标尺寸,该目标尺寸大于该初始尺寸,且该开口至少未裸露出该导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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