[发明专利]磁阻效应元件,磁头和磁记录/再现设备无效
| 申请号： | 200710078832.5 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101026221A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;H01F10/26;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层；自由磁化层；其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的非磁性隔离；和设置在所述自由磁化层背向所述非磁性中间层的一侧上的插入层，其中，第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 记录 再现 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化方向实际上固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化方向根据外部磁场发生变化；非磁性隔离层，其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间，并包括第一绝缘层，和贯穿第一绝缘层的第一电流通道；和插入层，其设置在所述自由磁化层背向所述非磁性隔离层的一侧上，其中，所述第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。
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