[发明专利]一种制备纳米碳化硅的方法无效

专利信息
申请号: 200710052859.7 申请日: 2007-07-30
公开(公告)号: CN101157452A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 张德;徐建梅;苏言杰 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;C30B29/36;C30B1/10
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 张安国
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种制备纳米碳化硅的方法。所述的纳米碳化硅的制备方法步骤为:1)去除植物棉中的杂物;2)将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。本发明的特点是以植物棉尤其是废旧棉为原料,在真空条件下炭化→硅化植物棉,制备出纳米碳化硅。本技术可应用于其它动、植物纤维,尤其是废旧的动、植物纤维制备纳米碳化硅,工艺较为简单。
搜索关键词: 一种 制备 纳米 碳化硅 方法
【主权项】:
1.纳米碳化硅的制备方法,其特征是按照下列步骤进行:1)、去除植物棉中的杂物;2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)、将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。
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