[发明专利]一种电致发光二极管的制备方法无效
| 申请号： | 200710052646.4 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101947A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘昌;张蕾;梅菲;刘福庆 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L21/84 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘荣 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入方法、光刻技术实现将Eu、Er、Tm三种稀土元素中的任意两种掺杂到在GaN薄膜中或者将这三种稀土元素同时掺杂到GaN薄膜中，当改变掺杂稀土元素的浓度比和外加电压时，就可以得到不同颜色的光、甚至白光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电致发光 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电致发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极后形成电致发光二极管。
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