[发明专利]自对准硅化物膜制程及结构无效
| 申请号： | 200710045077.0 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373716A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。本发明还揭示了一种自对准硅化物SAB膜结构。发明采用ONO结构的SAB膜，具有良好的光刻特性，此外，由于SiO2层和SiON层之间具有显著的光反射特性的差异，本发明利用这种特点，采用端点控制的方式对干法刻蚀过程进行精确的控制，能确保器件的安全，并且能获得理想的刻蚀速度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 硅化物膜制程 结构 | ||
【主权项】：
1.一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710045077.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卷纸包装机
- 下一篇：一种强制热风循环对流玻璃钢化技术
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
