[发明专利]一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法

摘要

本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相变电阻和一个pn结二极管构成，形成1D1R结构。利用SiO₂等介质材料把1D1R封装起来，加上1D1R器件单元小以及射线、粒子可作用的几率小等优点，从而实现了抗辐照的1D1R存储单元。存储单元通过上下电极散热，通过相变材料与电极材料之间热阻层的厚度调节热量平衡点。由抗辐照的1D1R存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成抗辐照的相变存储器。

主权项

1.一种抗辐照高可靠相变存储器器件单元，其特征在于：(a)存储单元由一个可逆相变电阻和一个pn结二极管组成，形成IDIR结构；可逆相变电阻作为信息存储介质，pn结作为开关；(b)每个IDIR结构的pn结和可逆相变电阻纵向排列，pn结在下，可逆相变电阻在上，IDIR结构周围是介质材料；(c)相变存储器器件单元构成存储阵列和外围电路制作在抗辐照加固的衬底材料上，由尺寸小的IDIR结构存储单元组成的相变存储器阵列位于衬底材料的相应区域。