[发明专利]太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法有效
| 申请号： | 200710043823.2 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101345395A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 曹俊诚;黎华;韩英军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01L21/3063;H01L21/308;C23F1/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，首先采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜，然后用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜，再将器件材料用相应的夹具固定放入盛有稀释的硫酸腐蚀液的器皿中，并采用磁力搅拌器进行湿法腐蚀，当腐蚀结束后，迅速将器件材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干，再将器件材料放入丙酮溶液中去除表面的光刻胶掩膜后，进行台阶仪测试以确定腐蚀深度，如此可使腐蚀方便快捷，且由于腐蚀速率低，可更容易控制腐蚀深度，特别是在腐蚀深度深，腐蚀时间长的情况下，其优势显得格外突出。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 量子 级联 激光器 结构 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于包括步骤：1)腐蚀前的准备：采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜；2)腐蚀之前，先用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜；3)湿法腐蚀：将太赫兹量子级联激光器件材料用夹具固定，放入盛有腐蚀液的烧杯中，采用磁力搅拌器，进行湿法腐蚀；4)腐蚀结束后，迅速将器件材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干；5)去掩膜：将器件材料放入丙酮溶液中浸泡3-5分钟去除表面的光刻胶掩膜；6)将去除掩膜后的器件材料进行台阶仪测试，确定腐蚀深度。
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