[发明专利]后道互连介质堆层的实施方法无效
| 申请号： | 200710039187.6 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101030567A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种后道互连介质堆层的实施方法，其涉及半导体集成电路制造工艺技术领域。本发明的实施方法通过使用具有压应力的SiO2材料作为金属前介质和最高层金属互连介质，使用具有张应力的低介电常数介质材料作为布线密度最高的第一层金属互连介质以及后道的其它金属互连介质。相对于现有技术，本发明实施方法通过使用低介电常数介质材料作为第一层金属互连介质，不仅平衡了后道应力改善了整个后道机械性能，而且极大地降低了后道寄生电容的影响，从而提高了整个后道的可靠性、成品率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 介质 实施 方法 | ||
【主权项】：
1.一种后道互连介质堆层的实施方法，其特征在于：该方法包括应用具有压应力的二氧化硅材料作为金属前介质及最高层金属互连介质；应用具有张应力的低介电常数材料作为第一层金属互连介质和后道的其他层金属互连介质。
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