[发明专利]外延型软恢复二极管无效
| 申请号： | 200710025366.4 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101110450A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 赵善麒;刘利峰;王晓宝 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延型软恢复二极管，包括在半导体芯片中N型杂质和P型杂质形成的阴极区和阳极区、基区以及芯片两端面的金属层构成的阴电极和阳电极，所述的阴极区为高浓度的N型杂质的衬底层，阳极区为P型杂质层；所述的基区为相互连接低浓度的N型杂质的外延层和N型杂质的外延电场阻断层，外延电场阻断层的杂质浓度介于衬底层的杂质浓度和外延层的杂质浓度之间，外延电场阻断层与衬底层相连，外延层与P型杂质层相连。本发明能简化制作工艺，性能优越，实现了又快又软的反向恢复特性，能减少器件的漏电流，提高器件抗雪崩耐量的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种外延型软恢复二极管，包括在半导体芯片中N型杂质和P型杂质形成的阴极区和阳极区、基区以及芯片两端面的金属层构成的阴电极和阳电极，其特征在于：所述的阴极区为高浓度的N型杂质的衬底层，阳极区为P型杂质层；所述的基区为相互连接的低浓度的N型杂质的外延层和N型杂质的外延电场阻断层，外延电场阻断层的杂质浓度介于衬底层的杂质浓度和外延层的杂质浓度之间，外延电场阻断层与衬底层相连，外延层与P型杂质层相连。
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