[发明专利]堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200710006383.3 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101236929A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 卢棨彬 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/31;H01L21/318;H01L21/285;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法，此方法包括以下步骤：提供一基板；形成一第一绝缘层于基板上；通过一第一气体及一第二气体进行沉积，以形成一储存层于第一绝缘层上，且第一气体的流量大于第二气体的流量；形成一第二绝缘层于储存层上；形成一位线区域于基板；形成一栅极于第二绝缘层上，其中第一绝缘层、储存层、第二绝缘层及栅极为存储单元的堆叠结构；以及形成一间隔物(spacer)于堆叠结构的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 结构 存储器 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种堆叠结构存储器的存储单元的制造方法，包括：提供一基板；形成一第一绝缘层于该基板上；通过一第一气体及一第二气体进行沉积，以形成一储存层于该第一绝缘层上，且该第一气体的流量大于该第二气体的流量；形成一第二绝缘层于该储存层上；形成一位线区域于该基板；形成一栅极于该第二绝缘层上，该第一绝缘层、该储存层、该第二绝缘层及该栅极为该存储单元的该堆叠结构；以及形成一间隔物于该堆叠结构的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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