[发明专利]发光二极管及其制造方法以及在电子设备中的应用无效
| 申请号： | 200710001435.8 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1996630A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 渡部义昭;日野智公 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管、其制造方法以及包括该发光二极管的多种应用。该发光二极管包括：第一导电型的第一半导体层；在该第一半导体层上的有源层；在该有源层上的第二导电型的第二半导体层；配置来与第一半导体层电耦合的第一电极；配置来提供在该第二半导体层上并且与该第二半导体层电耦合的第二电极，该第二电极包括具有预定形状并且主要由银组成的第一金属薄膜和覆盖该第一金属薄膜并且主要由钯和/或铂组成的第二金属薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 以及 电子设备 中的 应用 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管，包括：第一导电型的第一半导体层；在该第一半导体层上的有源层；在该有源层上的第二导电型的第二半导体层；配置来与该第一半导体层电耦合的第一电极；和配置来提供在该第二半导体层上并且与该第二半导体层电耦合的第二电极，该第二电极包括具有预定形状并且主要由银组成的第一金属薄膜和覆盖该第一金属薄膜并且主要由钯和/或铂组成的第二金属薄膜。
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