[发明专利]制备高纯度N－乙烯基酰胺的方法无效
| 申请号： | 200680028864.8 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101238093A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 内田博;石井彻弥 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C07C231/24 | 分类号： | C07C231/24;C07C233/05 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高纯度N－乙烯基酰胺的方法，其包括：(A)将粗N－乙烯基酰胺溶解于具有1－3个碳原子的醇中的步骤，该粗N－乙烯基酰胺含有50－97质量％的N－乙烯基酰胺；(B)向步骤(A)中获得的组合物中加入具有5－10个碳原子的脂族烃以析出该N－乙烯基酰胺晶体的步骤；和(C)分离步骤(B)中析出的N－乙烯基酰胺晶体的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纯度 乙烯基 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高纯度-N乙烯基酰胺的方法，其包括：(A)将粗N-乙烯基酰胺溶解于具有1-3个碳原子的醇中的步骤，该粗N-乙烯基酰胺含有50-97质量％的N-乙烯基酰胺；(B)向步骤(A)中获得的组合物中加入具有5-10个碳原子的脂族烃以析出该N-乙烯基酰胺晶体的步骤；和(C)分离步骤(B)中析出的N-乙烯基酰胺晶体的步骤。
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