[发明专利]多芯片结构及具有多芯片结构的多芯片电子装置有效

专利信息
申请号: 200610162852.6 申请日: 2006-11-24
公开(公告)号: CN1964041A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 许志行 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种多芯片结构,其包括一第一芯片与一第二芯片。第一芯片具有一缓冲区、一内连线区与一第一表面,其中缓冲区与内连线区为电绝缘。第二芯片配置于第一表面上,其中第二芯片分别电连接至内连线区与缓冲区。第二芯片会输出一第一类信号和一第二类信号,且第一类信号输入该内连线区内,以参与第一芯片的运算操作,而第二类信号输入该缓冲区。此多芯片结构的工艺成品率较高且制造成本较低。本发明还提供一种具有多芯片结构的多芯片电子装置。
搜索关键词: 芯片 结构 具有 电子 装置
【主权项】:
1.一种多芯片结构,包括:一第一芯片,具有一缓冲区、一内连线区、一重配置导电区与一第一表面,其中该缓冲区与该内连线区为电绝缘,且该重配置导电区配置于该第一表面上;一第二芯片,配置于该第一表面上;以及多个导电凸块,配置于该第一表面与该第二芯片之间,其中该第二芯片通过部分所述导电凸块电连接至该内连线区,且该第二芯片依序通过另一部分所述导电凸块与该重配置导电区而电连接至该缓冲区;其中该第二芯片会输出一第一类信号和一第二类信号,且该第一类信号经由部分所述导电凸块而输入该内连线区内,以参与该第一芯片的运算操作,而该第二类信号经由另一部分所述导电凸块和该重配置导电区而输入该缓冲区。
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