[发明专利]降低位线的泄漏电流无效
申请号: | 200610159530.6 | 申请日: | 2006-09-21 |
公开(公告)号: | CN1937076A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | J·J·吴;J·E·拉奇曼;D·R·维斯 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | G11C11/4094 | 分类号: | G11C11/4094;G11C11/4063 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;梁永 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于降低SRAM中功率的方法,通过在备用运行中将第一电压施加到SRAM部分的所有位线上,以及在正常运行中将第二电压施加到SRAM部分的所有位线上来实现。第一电压不大于第二电压。 | ||
搜索关键词: | 降低 泄漏 电流 | ||
【主权项】:
1.一种用于降低SRAM中功率的方法,包含:a)在备用运行中,将第一电压(VDD2)施加到SRAM部分的所有位线(509)上;b)在正常运行中,将第二电压(VDD1)施加到SRAM部分的所有位线(509)上;c)其中所述第一电压(VDD2)不大于所述第二电压(VDD1)。
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