[发明专利]沟渠式电容器结构的制备方法无效
| 申请号： | 200610149403.8 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101188213A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赖素贞;廖宏魁 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的沟渠式电容器结构的制备方法首先形成至少一沟渠于一衬底中，再形成一埋入式下电极于该沟渠的下部外缘。其次，形成一覆盖该沟渠内侧壁的介电层，并进行多次沉积工艺以形成多层多晶硅层于该沟渠内，其中该多次沉积工艺之间通入一含导电掺杂剂的气体至该沟渠，使得该导电掺杂剂得以扩散进入该多晶硅层。之后，利用平坦化工艺及非等向性干蚀刻工艺局部去除该沟渠上部的多晶硅层而构成一上电极于沟渠的下部，并形成一环状绝缘层于该沟渠上部内壁，再利用该环状绝缘层为掺杂掩模进行一掺杂工艺以将导电掺杂剂注入该上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 电容器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟渠式电容器结构的制备方法，包含下列步骤：形成至少一沟渠于一衬底中；形成一埋入式下电极于该沟渠的下部外缘；形成一覆盖该沟渠内侧壁的介电层；形成一上电极于沟渠的下部；形成一环状绝缘层于该沟渠上部内壁；以及进行一掺杂工艺以将导电掺杂剂注入该上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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