[发明专利]集成电路及其形成方法

摘要

一种形成集成电路器件的方法，包括在一部分半导体上方形成栅极电极叠层。该叠层包括栅极介质层和其上方的栅极电极。除叠层之外向所述衬底中注入双原子氮和/或氮原子，对于双原子氮最大能量小于或等于10keV，对于原子氮最大能量小于或等于5keV，温度小于或等于1000℃，时间小于或等于30分钟；然后，在叠层的侧壁上形成氧化硅偏移隔层。除偏移隔层之外在衬底中形成源/漏扩展区。在另一部分氮注入层上方偏移隔层的外表面上形成氮化物侧壁隔层。然后，除侧壁隔层之外在衬底中形成源/漏区。

主权项

1.一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：在一部分半导体衬底上方形成栅极电极叠层，所述栅极电极叠层包括栅极介质层和位于所述栅极介质层上方的栅极电极；除了所述栅极电极叠层之外向所述衬底中注入氮，在所述衬底中形成氮注入层；以及在所述栅极电极叠层的所述侧壁上和一部分所述氮注入层上方形成偏移隔层。