[发明专利]一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法无效
| 申请号： | 200610132393.7 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1994869A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉思;高远;张建华;程华月 | 申请（专利权）人： | 广州有色金属研究院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法。其特征是将破碎、研磨的物料加入熔融碱金属氢氧化物或其与碱金属碳酸盐的混合物中，在640～720℃进行碱熔；加入氧化剂；用水一次或二次浸出熔融物；用酸中和浸出液，反应终点为pH为5～6，得二氧化碲；用碱溶解二氧化碲造液，制得亚碲酸钠溶液，并电积，最终得到金属碲。本发明的方法具有适用性强，可以处理质量不合格的棒料、切削料、破碎的晶片和混合型的废料；回收率高，生产效率高，易于放大，对环境的负荷小；所得金属碲的纯度稳定等优点，适用于从碲化铋基半导体制冷材料中回收碲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋基 半导体 制冷 材料 回收 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法，其特征是包括以下步骤：(1)将物料破碎、研磨至0.12～0.35mm；(2)按m物料∶m熔剂＝1∶0.8～1∶2，将物料加入熔融碱金属氢氧化物或其与碱金属碳酸盐的混合物中，在640～720℃进行碱熔，时间0.5～2h；(3)按m氧化剂∶m熔剂＝1∶3～1∶6加入氧化剂，氧化时间1～5h；(4)在温度70～95℃下，用水一次或二次浸出熔融物，液固比3∶1～8∶1(mL/g)，时间1～3h；(5)在温度40～80℃下，用酸中和浸出液，反应终点为pH为5～6，得二氧化碲；(6)用碱溶解二氧化碲造液，制得亚碲酸钠溶液，并电积，最终得到金属碲。
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