[发明专利]半导体光传感器装置

摘要

本发明提供半导体光传感器装置，具有半导体基板；第一光电二极管，形成在半导体基板上；第二光电二极管，形成在半导体基板上；第一放大电路，形成在半导体基板上，放大来自第一光电二极管的光电流；第二放大电路，形成在半导体基板上，放大来自第二光电二极管的光电流，并具有与第一放大电路大致相同的放大特性；红外透射滤波器，设置在第二光电二极管上，使入射光中的可见光成分相对于红外光成分相对衰减；减法运算电路，形成在半导体基板上，输出第一放大电路的输出和第二放大电路的输出的差值；半导体基板上，第一光电二极管的中心和第二光电二极管的中心关于通过半导体基板中心的直线实质上对称地配置。

主权项

1、一种半导体光传感器装置，其特征在于，包括：半导体基板；第一光电二极管，形成在所述半导体基板上；第二光电二极管，形成在所述半导体基板上；第一放大电路，形成在所述半导体基板上，放大来自所述第一光电二极管的光电流；第二放大电路，形成在所述半导体基板上，放大来自所述第二光电二极管的光电流，并具有与所述第一放大电路大致相同的放大特性；红外透射滤波器，设置在所述第二光电二极管上，使入射光中的可见光成分相对于红外光成分相对衰减；减法运算电路，形成在所述半导体基板上，输出所述第一放大电路的输出和所述第二放大电路的输出的差分；从所述半导体基板的第一侧面到所述第一光电二极管的中心的距离和从与所述半导体基板的所述第一侧面相对的第二侧面到所述第二光电二极管的中心的距离大致相等。