[发明专利]湿浸式光刻工艺的控制方法及其操作系统有效
| 申请号： | 200610071523.0 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101046635A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黄永发;林思闽;尤春祺;曾焕廷;卢柏州 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的湿浸式光刻工艺的操作系统是依据晶片完成湿浸式光刻曝光后等候烘烤的状况来调整将晶片导入湿浸式光刻工艺的速度，以使得已完成曝光的晶片得以有效率且即时地烘烤。 | ||
| 搜索关键词： | 湿浸式 光刻 工艺 控制 方法 及其 操作系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的湿浸式光刻工艺的控制方法，该湿浸式光刻工艺依序包括一湿浸式光刻曝光步骤以及一烘烤步骤，该控制方法是依据完成该烘烤步骤的速度来调整导入该湿浸式光刻曝光步骤的速度，以避免完成该湿浸式光刻曝光步骤的已曝光晶片于等候进行该烘烤步骤的期间产生缺陷。
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