[发明专利]改善氧化膜CMP均一性的方法无效
| 申请号： | 200610029998.3 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101121245A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;王贝易;赵正元;谢煊;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善氧化膜化学机械抛光(CMP)均一性的方法，该方法包括步骤：在晶圆的主研磨阶段，采用高硬度的研磨垫研磨晶圆表面，以消除段差；用中等硬度的研磨垫对经前述步骤研磨的晶圆表面进行研磨。本发明的改善氧化膜CMP均一性的方法通过在不同的主研磨阶段分别采用高硬度和中等硬度的研磨垫，改善了残膜的面内均一性和局部的平坦化程度，且控制了制程缺陷率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 氧化 cmp 均一 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善氧化膜CMP均一性的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在主研磨的第一阶段，采用高硬度的研磨垫研磨晶圆表面，以消除段差；(2)在主研磨的第二阶段，用中等硬度的研磨垫对经步骤(1)研磨的晶圆表面进行研磨。
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