[发明专利]改善氧化膜CMP均一性的方法无效
| 申请号： | 200610029998.3 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101121245A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;王贝易;赵正元;谢煊;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 氧化 cmp 均一 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善氧化膜CMP均一性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在主研磨的第一阶段，采用高硬度的研磨垫研磨晶圆表面，以消除段差；
(2)在主研磨的第二阶段，用中等硬度的研磨垫对经步骤(1)研磨的晶圆表面进行研磨。
2.如权利要求1所述的改善氧化膜CMP均一性的方法，其特征在于，步骤(1)所述的晶圆包括在化学机械抛光工艺前表面具有段差的晶圆。
3.如权利要求2所述的改善氧化膜CMP均一性的方法，其特征在于，所述化学机械抛光工艺包括：浅沟槽隔离的化学机械抛光、层间绝缘膜的化学机械抛光以及金属间绝缘介质的化学机械抛光。
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