[发明专利]一种钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610018792.0 | 申请日： | 2006-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1837401A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 章天金;李颂战;张柏顺 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 430062湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备钛酸锶钡(BaxSr1－xTiO3，简称BST)铁电薄膜的方法，采用的是射频磁控溅射法。利用溅射气体放电产生粒子轰击BST陶瓷靶材，产生靶材粒子沉积在基片，再经过不同的退火工艺退火形成不同择优取向的BST薄膜。本发明的射频磁控溅射法制备的BST铁电薄膜是通过控制溅射过程中的工艺参数和溅射后的退火工艺实现的，其工艺简单、易操作控制，此种方法制备的BST薄膜适合于微电子器件开发对不同特性BST铁电薄膜的需要。大规模集成电路的封装料制备，也可以用于机械、电子、日用化工、生物医药等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸锶钡铁电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法，其特征是：在溅射室惰性溅射气体和辅助沉积气体混合气压为2.2Pa-3.9Pa、射频源功率为120W-150W和惰性溅射气体流量为10sccm-16sccm、辅助沉积气体流量为4sccm-8sccm的工艺参数下，利用惰性溅射气体放电产生等离子体轰击钛酸锶钡靶材，产生的靶材粒子由辅助沉积气体补充沉积在衬底基片上，退火得到择优取向度为36.57％-87.85％的钛酸锶钡铁电薄膜。
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