[发明专利]一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法无效
申请号: | 200610015536.6 | 申请日: | 2006-08-31 |
公开(公告)号: | CN101135045A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 沈志刚;俞晓正;徐政;裴小科;范洪涛;李勇 | 申请(专利权)人: | 国家纳米技术与工程研究院;北京航空航天大学;深圳微纳超细材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54 |
代理公司: | 国嘉律师事务所 | 代理人: | 卢枫 |
地址: | 300457天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征是采用微颗粒磁控溅射镀膜设备,以0.1~500μm的SiC颗粒材料作为基底,纯度为99.999%的铜作为靶材,通过调节超声波的振动功率及样品架的摆动频率,使SiC颗粒在溅射镀膜时能够均匀地分散,再通过改变真空室内的工作气压、溅射功率、温度和溅射时间等工艺条件,在其表面沉积上金属铜膜。该工艺操作简单,成本低廉,无废水废气污染,所制备的薄膜均匀,连续。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic 颗粒 表面 磁控溅射 镀铜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征在于它包括以下步骤:(1)备微颗粒磁控溅射镀膜设备;(2)打开真空室,把装入SiC颗粒的样品皿安装在样品台上;(3)关闭真空室,打开机械泵抽真空至0.1~10Pa;(4)打开分子泵抽真空至5.0×10-4Pa~5.0×10-3;(5)打开流量计,向真空室内充惰性气体至0.2Pa~10Pa;(6)打开超声波和样品架摆动装置,超声波振动功率为0w~300w,样品台的摆动频率为0次/分钟~100次/分钟;(7)打开样品加热器,加热温度范围:20℃~350℃;(8)打开磁控溅射靶电源,调节功率至10w~5000w,开始溅射镀膜;(9)镀膜时间范围为5分钟~300分钟,时间到后关闭溅射电源;(10)按顺序关闭流量计、分子泵和机械泵,再打开放针阀缓慢向真空室内放气,当真空室内压力与大气压力平衡后,打开真空室,取出样品,镀膜结束。
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