[发明专利]一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法无效

专利信息
申请号: 200610015536.6 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN101135045A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 沈志刚;俞晓正;徐政;裴小科;范洪涛;李勇 申请(专利权)人: 国家纳米技术与工程研究院;北京航空航天大学;深圳微纳超细材料有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
代理公司: 国嘉律师事务所 代理人: 卢枫
地址: 300457天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征是采用微颗粒磁控溅射镀膜设备,以0.1~500μm的SiC颗粒材料作为基底,纯度为99.999%的铜作为靶材,通过调节超声波的振动功率及样品架的摆动频率,使SiC颗粒在溅射镀膜时能够均匀地分散,再通过改变真空室内的工作气压、溅射功率、温度和溅射时间等工艺条件,在其表面沉积上金属铜膜。该工艺操作简单,成本低廉,无废水废气污染,所制备的薄膜均匀,连续。
搜索关键词: 一种 sic 颗粒 表面 磁控溅射 镀铜 方法
【主权项】:
1.一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征在于它包括以下步骤:(1)备微颗粒磁控溅射镀膜设备;(2)打开真空室,把装入SiC颗粒的样品皿安装在样品台上;(3)关闭真空室,打开机械泵抽真空至0.1~10Pa;(4)打开分子泵抽真空至5.0×10-4Pa~5.0×10-3;(5)打开流量计,向真空室内充惰性气体至0.2Pa~10Pa;(6)打开超声波和样品架摆动装置,超声波振动功率为0w~300w,样品台的摆动频率为0次/分钟~100次/分钟;(7)打开样品加热器,加热温度范围:20℃~350℃;(8)打开磁控溅射靶电源,调节功率至10w~5000w,开始溅射镀膜;(9)镀膜时间范围为5分钟~300分钟,时间到后关闭溅射电源;(10)按顺序关闭流量计、分子泵和机械泵,再打开放针阀缓慢向真空室内放气,当真空室内压力与大气压力平衡后,打开真空室,取出样品,镀膜结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米技术与工程研究院;北京航空航天大学;深圳微纳超细材料有限公司,未经国家纳米技术与工程研究院;北京航空航天大学;深圳微纳超细材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610015536.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top