[发明专利]具有嵌壁式浅沟的隔绝结构的半导体制造方法及存储器电路

摘要

在一些实施例中，提供一种存储器集成电路。存储器集成电路具有不同的具有浅沟的隔绝结构于存储器集成电路的存储器电路及存储器集成电路的控制电路之中。隔绝介电结构是以不同的程度填充具有浅沟的隔绝结构的沟渠。在一些实施例中，提供一种存储器集成电路。存储器集成电路具有存储器电路，存储器电路具有浅沟的隔绝结构及中间区域。存储器电路提供一信道，信道介于邻近的非挥发性存储器装置之间，用以提供数个具有不同方向的电流组件。在一些实施例中，是形成具有嵌壁式浅沟的隔绝结构。

主权项

1.一种半导体的制造方法，包括：形成复数个具有浅沟的隔绝结构于一晶片中对应于复数个存储器装置的至少复数个区域上，该形成这些具有浅沟的隔绝结构的步骤包括：形成这些具有浅沟的隔绝结构的复数个沟渠；沉积一隔绝介电结构于这些沟渠内及这些沟渠之间的复数个中间区域上；移除该隔绝介电结构，直到至少覆盖这些中间区域的该隔绝介电结构自该晶片中对应于这些存储器装置的至少这些区域上被移除为止；以及在该移除覆盖这些中间区域的该隔绝介电结构的步骤后，至少自该晶片中对应于这些存储器装置的至少这些区域内的这些沟渠部分移除该隔绝介电结构。