[发明专利]具有高K电介质存储电容器的DRAM及其制造方法

摘要

一种动态随机存取存储单元包括形成于半导体主体中的晶体管。电容器连接至晶体管上且包括由硅形成的第一电容器极板。金属层与第一电容器极板相邻且与之电连接。电容器电介质层与金属层相邻。该电容器电介质层包括具有介电常数大于约5的材料。第二电容器极板与电容器电介质相邻。电容器可以是沟槽电容器或叠式电容器。

主权项

1.一种动态随机存取存储单元，包括：形成于半导体主体中的晶体管；和连接至晶体管的电容器，该电容器包括：包括硅的第一电容器极板；与第一电容器极板相邻且电连接的第一纯金属层；与金属层相邻的电容器电介质层，该电容器电介质层包括介电常数大于约10的材料；以及与金属层相邻的第二电容器极板。