[发明专利]减少制程环境内的杂质的装置及其方法有效
| 申请号： | 200610002910.9 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101009202A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 郑智文;陈信元;何俊宜;陈崇仁;梁硕仁;李智富 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少制程环境内的杂质的装置及其方法。该装置包含置于制程环境中用于半导体制程的待制物，设置于待制物上的保护结构，此保护结构为避免制程环境内的杂质微粒污染上述待制物，及位于此保护结构表面任一区域的吸附膜，此吸附膜为吸附处于制程环境内的杂质微粒。本发明更提供一种减少制程环境内的杂质的方法，其包含在用于半导体制程的待制物上形成一保护结构，以避免制程环境内的杂质微粒污染待制物，且在此保护结构表面的任一区域形成吸附膜，以吸附处于制程环境内的杂质微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 环境 杂质 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少制程环境内的杂质的方法，其特征在于，该减少制程环境内的杂质的方法包括：在用于半导体制程的一待制物上形成一保护结构，以避免制程环境内的杂质微粒污染该待制物；及在该保护结构表面的任一区域形成一吸附膜，以吸附处于该制程环境内的杂质微粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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