[发明专利]波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件

摘要

本发明涉及一种波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件，采用磷化铟/铟镓砷磷材料体系，包括依次连接的光放大器、Y型耦合器和2*2分布反馈激光器阵列；其中2*2分布反馈激光器阵列在上波导层上制作有2*2矩阵排列的四个不同周期的布拉格光栅。本发明的优点是可提供四个可选的波长，波长间隔为20nm，满足疏波分复用的信道间隔要求，本发明的制作工艺和传统光电集成组件的制作工艺一样简单方便，易于操作，且易与其他的半导体光电器件如调制器，模斑转换器等集成。

主权项

1、一种波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件，采用磷化铟/铟镓砷磷材料体系制作，包括分布反馈激光器阵列，其特征在于，还包括依次连接的光放大器、Y型耦合器；所述分布反馈激光器阵列是2*2分布反馈激光器阵列，其输入端与Y型耦合器的输出端连接；所述2*2分布反馈激光器阵列由下而上包括磷化铟衬底缓冲层(1)，下波导层铟镓砷磷(2)，铟镓砷/铟镓砷磷多量子阱层(3)，对应带隙波长1.55um，上波导层铟镓砷磷(4)，磷化铟盖层(5)，铟镓砷接触层(6)和金属电极(8)，其中，在上波导层上制作有2*2矩阵排列的四个不同周期的布拉格光栅；所述Y型耦合器由下而上包括磷化铟衬底缓冲层(1)，下波导层铟镓砷磷(2)，铟镓砷/铟镓砷磷多量子阱层(3)，对应带隙波长1.3um，上波导层铟镓砷磷(4)，磷化铟盖层(5)，铟镓砷接触层(6)，该Y型耦合器输出端的两个分支与2*2分布反馈激光器阵列连接，输入端与光放大器连接；所述光放大器由下而上包括：磷化铟衬底缓冲层(1)，下波导层铟镓砷磷(2)，铟镓砷/铟镓砷磷多量子阱层(3)，对应带隙波长1.5um，上波导层铟镓砷磷(4)，磷化铟盖层(5)，铟镓砷接触层(6)，金属电极(8)。