[发明专利]晶片处理系统及制造晶片的方法无效
申请号: | 200580039598.4 | 申请日: | 2005-10-31 |
公开(公告)号: | CN101208454A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 凯文·P·费尔贝恩;哈里·蓬内坎蒂;克里斯托弗·莱恩;罗伯特·爱德华·韦斯;伊恩·拉奇福特;特里·布卢克 | 申请(专利权)人: | 因特维克有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00;H01L21/306;C23C14/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 所描述的是制造晶片的方法和制造系统(11),其中,占地面积基本包含在处理室(17、18)的近似尺寸中。单个晶片水平移动通过系统,并且在成组的处理室中同时进行处理。将制造半导体晶片中用到的各种制造工艺包括进来作为系统中的处理室。 | ||
搜索关键词: | 晶片 处理 系统 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理系统,包括:装载锁室,用于使基板进入真空环境,载体,支撑将在所述处理系统中被处理的基板,第一排室,包括:第一处理室,连接于所述装载锁并与所述装载锁水平对齐,以在其室中的基板上进行处理步骤;至少第二处理室,连接于所述第一处理室并与所述第一处理室水平对齐,以在其室中的基板上进行第二处理步骤;至少第二排室,包括:处理室,邻近所述第一排处理室并定位在其侧部,以进一步处理基板;至少一转移室,连接于一排处理室并在其端部与之对齐,并且连接于另一排处理室并在其端部与之对齐,以将基板从一排处理室转移到另一排处理室,以及传送系统,移动基板载体通过所述第一排处理室、通过所述转移室、然后通过所述第二排处理室,所述处理系统占据与所述排处理室及所述至少一个转移室基本相同的占地面积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的