[发明专利]高速半导体波导移相器有效
申请号: | 200580028041.0 | 申请日: | 2005-08-16 |
公开(公告)号: | CN101006382A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | D·M·吉尔;C·K·马森;C·S·拉费蒂 | 申请(专利权)人: | 卢森特技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 光学移相器(100)包括包含核心区(116)和包含自由电荷(电子或空穴)的掺杂区(115a,115b)的半导体波导(105),其可以被引入波导或从波导除去,光束(150)在该波导中传播。半导体结构(PN结112、114)允许对掺杂区中的自由电荷的量的控制,其构成势阱。当该阱被填充时,电荷加速光束传播,引入相位变化。当该阱是空的时,(在施加反向偏压到结112、114时),光束以额外的延迟传播。移相器允许利用低电压和低功率电子线路非常高速地调制光束。该装置可以利用标准硅加工技术制造,并且可以与其它光学部件例如分裂器和组合器集成以制造调幅器、衰减器和其它光学装置。 | ||
搜索关键词: | 高速 半导体 波导 移相器 | ||
【主权项】:
1.一种光学移相器装置,包括:波导,其中该波导包括:光模式部分,该光模式部分允许光束通过那里,以及掺杂区,其中该掺杂区包含自由电荷载流子并且与光模式部分重叠;以及半导体结构,其中该半导体结构根据外部的电控制来控制掺杂区的自由电荷载流子含量。
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