[发明专利]掺氮硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200580026862.0 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101002310A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 中村浩三;前田进;林田广一郎;杉万贵久;杉泽克彦 | 申请（专利权）人： | 小松电子金属股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过进行外延生长或高温热处理，得到具有高吸气能力的外延晶片和高温热处理晶片。由氮浓度和晶体生长中于1100℃附近的冷却速度导出表示添加有氮的硅晶在晶体生长时所导入的氧析出物的密度相对于半径的关系式，通过给出所导出的表示氧析出物的密度相对于半径的关系式和氧浓度以及晶片热处理工艺，可以预测热处理后得到的氧析出物的密度。另外，得到使用由该方法预测得到的条件而控制为适当的氧析出物密度的外延生长晶片和高温退火晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 掺氮硅 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法，其特征为，由氮浓度和晶体生长中氧析出物的密度增加的温度范围的冷却速度导出表示添加有氮的硅单晶在晶体生长时所导入的氧析出物的密度相对于半径的关系式，通过给出所导出的表示氧析出物的密度相对于半径的关系式和氧浓度以及热处理的温度工艺，可以预测热处理后得到的氧析出物的密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
