[发明专利]用于实现纳米器件的接纳结构的方法

摘要

一种用于实现纳米器件的接纳结构(A，B)的方法，所述方法包含以下步骤。在第一材料的基片(10)的上表面(12)上沉积具有至少一个侧壁(18)的块种晶(15)。在所述表面(12)的至少一个部分上和块种晶(15)上沉积第二材料的预定厚度的第一层(20)，随后选择性地和各向异性地蚀刻它，以实现和侧壁(18)相邻的间隔物种晶(22)。然后所述方法重复步骤n次，n＞＝2，所述步骤包含在基片(10)上沉积预定材料的层(20，30)，随后是该层的选择性的和各向异性的蚀刻，以实现至少一个相关的间隔物(25，35)。该预定的材料对每对连续的沉积是不同的。上述n个步骤规定了至少一个多层体(50，150，250)。然后所述方法提供以下的步骤：选择性地蚀刻多层体(50，150，250)，以去除一部分间隔物，以实现至少一组多个纳米接纳座(40)，剩余的一部分间隔物实现了用于所述接纳座(40)中接纳的多个分子晶体管的接触终端。

主权项

1.用于实现纳米器件的接纳结构的方法，该方法包括以下步骤：在第一材料的绝缘基片(10)的上表面(12)上沉积具有垂直于所述上表面(12)的至少一个侧壁(18)的块种晶(15)；其特征在于所述方法进一步包括以下步骤：在所述表面(12)和所述块种晶(15)的至少一个部分上沉积第二材料的预定厚度的第一层(20)；各向异性地蚀刻所述第一层(20)，以获得和所述块种晶(15)的所述侧壁(18)的至少一个部分相邻的至少一个间隔物种晶(22)；重复步骤n次，n＞＝2，所述步骤包含在所述基片(10)的至少一个部分上沉积预定材料的预定厚度的层(20，30)，随后是所述层(20，30)的各向异性蚀刻，以实现至少一个相关的间隔物(25，35)，所述预定材料对每对连续的沉积是不同的，所述n个步骤规定了至少一个多层体(50，150，250)，其包含由至少两种不同材料制成的n个间隔物(25，35)和所述至少一个间隔物种晶(22)；选择性地蚀刻所述多层体(50，150，250)，以去除一部分所述间隔物(25，35)，用于实现至少一组多个纳米接纳座(40)；这样实现的所述结构(A，B)适合于在所述至少一组多个接纳座(40)中接纳多个纳米器件，剩余的一部分所述间隔物(25)实现用于所述元件的接触终端。