[发明专利]双镶嵌结构的制造方法

摘要

一种双镶嵌结构的制造方法，首先，在衬底上依序形成阻障层、第一介电层、第二介电层、多层掩模层、第一底部抗反射层与图案化第一光致抗蚀剂层。接着。以图案化第一光致抗蚀剂层为掩模，进行蚀刻以得到第一沟槽结构。然后，形成第二底部抗反射层，以填满第一沟槽结构，并且覆盖多层掩模层的表面。接着，在第二底部抗反射层上形成图案化第二光致抗蚀剂层，并以图案化第二光致抗蚀剂层为掩模，进行蚀刻以得到第一介质窗结构。之后，蚀刻第一沟槽结构与第一介质窗结构，以得到第二沟槽结构与第二介质窗结构。

主权项

1.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：在一衬底上形成一阻障层；在该阻障层上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第二介电层；在该第二介电层上形成一多层掩模层；在该多层掩模层上形成一第一底部抗反射层；在该第一底部抗反射层上形成一图案化第一光致抗蚀剂层；以该图案化第一光致抗蚀剂层为掩模进行蚀刻步骤，以得到一第一沟槽结构，其中该第一沟槽结构的一底部是位于该多层掩模层内部；移除该图案化第一光致抗蚀剂层与该第一底部抗反射层；形成一第二底部抗反射层，以填满该第一沟槽结构并且覆盖该多层掩模层的一表面；在该第二底部抗反射层上形成一图案化第二光致抗蚀剂层；以该图案化第二光致抗蚀剂层为掩模进行蚀刻步骤，以得到一第一介质窗结构，其中该第一介质窗结构的一底部暴露出该第一介电层的一表面；以及蚀刻该第一沟槽结构与该第一介质窗结构，以得到一第二沟槽结构与一第二介质窗结构，其中该第二介质窗结构的一底部暴露出该衬底的一表面，并且该第二沟槽结构的一底部暴露出该第一介电层的一表面。