[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200510067312.5 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1684257A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 今桥学;小仓弘义;绳手优克 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/62;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体装置中，抑制浪涌保护二极管的元件面积的增大和控制电路等的误动作。具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，是在第1导电型半导体区域上备有输出焊盘、与所述输出焊盘连接的驱动元件、用于在浪涌中保护所述驱动元件的浪涌吸收部的半导体装置，其特征在于，所述浪涌吸收部备有：在所述第1导电型半导体区域上形成的第2导电型岛状半导体区域；在所述第2导电型岛状半导体区域的底部与所述第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；形成在所述第2导电型岛状半导体区域上且连接在与所述第1导电型半导体区域相同电位的第1导电型杂质层；形成在所述第1导电型杂质层上且与所述输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；和在所述第2导电型岛状半导体区域上，以包围所述第1导电型杂质层并且到达所述第2导电型埋入层的方式形成的环状第2导电型层，所述环状第2导电型层连接在规定的电位并且含有比所述第2导电型岛状半导体区域的浓度还高的第2导电型杂质。
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