[发明专利]一种纳米材料及在场效应晶体管纳米器件的应用无效
| 申请号： | 200510059662.7 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1841679A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘云圻;付磊;刘志敏;曹灵超;魏大程;韩布兴;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;B82B1/00;B82B3/00;C01B31/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米材料，其直径为1～200纳米、长度为0.01～50微米的单壁或多壁碳纳米管或其它纳米线，在该碳纳米管上带有用氧化铝、氧化硅、或氧化铪等氧化物包覆的绝缘层。其制备方法采用超临界流体作为不良溶剂将极性硝酸盐从良溶剂中相分离包覆在碳纳米材料表面，形成金属氧化物绝缘包覆层，在带有绝缘层的碳纳米材料两端裸露区域原位沉积Pt电极作为源、漏电极，在包覆有金属氧化物绝缘层的区域沉积Pt电极作为栅电极。在室温下这种材料具有明显的场效应现象，调控器件所需的栅极电压较通常结构的场效应晶体管低，且在一块电路版上的每个器件能分别通过专有的栅电极操控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 在场 效应 晶体管 器件 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米材料，其直径为1～200纳米、长度为0.01～50微米的单壁或多壁碳纳米管或其它纳米线，在该碳纳米管上带有用氧化铝、氧化硅、或氧化铪等氧化物包覆的绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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