[发明专利]一种生长非晶态硅的方法及所得的非晶态硅薄膜

摘要

以非常快的沉积率使非晶态硅薄膜层沉积在基质上，同时又使该薄膜保持质优的方法。确定了在工艺操作室内的等离子体容积。也确定了引入该室的混合气体的总流率。总流率是混合气体中各个气体的流率之和。其次，确定了包括等离子体容积和总流率的工艺参数。然后，在非晶态硅薄膜的沉积过程中，按照第一预定关系使工艺参数保持有预定值。

主权项

1.一种在具有壁板的室内使非晶态硅生长的方法，该方法包括：(a)确定该室壁板是否清洁；(b)如果不清洁，则清洗该室壁板；和(c)如果清洁，在该室内形成具有等离子体容积的等离子体；其中形成等离子体包括将反应气体以某一流率引入该室的步骤；其中使反应气体的等离子体容积与该流率之比值，按照预定的关系保持预定的比值。