[发明专利]避免残留气体污染晶片的设备及方法无效
| 申请号： | 200410088234.2 | 申请日： | 2004-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1763907A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 黄国华;戴政贤 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/285;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;吴秉芬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种避免残留气体污染晶片的设备，此设备主要由一化学气相沉积机器、一输送管路、一清洁管路以及一逆止阀所构成。其中，输送管路与化学气相沉积机器连接，而清洁管路与输送管路连接。由于在清洁管路上配置有逆止阀，可避免残留气体由清洁管路回流至输送管路，进而对晶片造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 残留 气体 污染 晶片 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种避免残留气体污染晶片的设备，该设备包括：一化学气相沉积机器，用以容置一晶片；一气体储存槽，适于至少提供一反应气体；一输送管路，连接于该气体储存槽及该化学气相沉积机器之间；一清洁管路，其一端与该输送管路连接；一转向阀，配置于该输送管路与该清洁管路的连接处；以及一逆止阀，配置于该清洁管路上，以防止残留气体回流至该输送管路，而对该晶片造成污染。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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