[发明专利]氧化锌层的形成方法以及光电器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410049114.1 | 申请日： | 1999-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1551378A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 荒尾浩三;田村秀男;远山上;园田雄一;官本祐介 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种带氧化锌层的基片，至少氧化锌层设置在支撑基片上，其中氧化锌层从支撑基片侧开始依次包括具有c轴垂直于支撑基片的氧化锌层和c轴向支撑基片倾斜的氧化锌层；以及半导体层形成在带氧化锌层的基片上的光电器件。由此提供具有优良的反射性质和光限制效应，以及高光电转换效率的廉价的光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 形成 方法 以及 光电 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成氧化锌层的方法，包括通过在含邻苯二甲酸的水溶液中进行电沉积而在基片上形成氧化锌层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410049114.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直接环氧化方法
- 下一篇：字符串编辑设备和字符串编辑程序
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
