[发明专利]图案形成方法无效
| 申请号： | 200410003604.8 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1523449A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 远藤政孝;笹子胜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种图案形成方法，首先形成碱溶性聚合物中由保护基保护起来的聚合物比例在50％以上的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)。然后对抗蚀膜(11)照射NA为0.92的KrF准分子激光(12)(含有对于抗蚀膜(11)以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光)，进行图案曝光之后，利用碱性显影液显影，从而形成抗蚀图14。根据本发明，尽管使用含有对抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光形成图案，也可得到表面形状良好抗蚀图。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图案形成方法，其特征在于包括：形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜的工序；经掩模对所述抗蚀膜照射含有对于抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光，然后利用显影液进行显影处理从而形成抗蚀图的工序，相对于上述抗蚀膜的膜厚上述抗蚀图膜厚的降低比例在5％以下。
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