[发明专利]RF前端接收机无效
| 申请号： | 200380107089.1 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1729626A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | A·里特温;G·卡蒂雷桑 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H04B1/28 | 分类号： | H04B1/28;H03D7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种RF前端接收机，其包括连接至一混频器相应输入端口的一低噪声放大器(LNA)和一本地振荡驱动器(LOD)。所述混频器包括其栅极耦合至所述低噪声放大器(LNA)的一输出端子(RF+)的一第一和一第二晶体管(M3，M6)、其栅极耦合至所述低噪声放大器(LNA)的另一输出端子(RF－)的一第三和一第四晶体管(M4，M5)、其栅极耦合至所述本地振荡驱动器(LOD)相应输出端子(LO+，LO－)的一第五和一第六晶体管(M1，M2)，其中所述第一和第三晶体管(M3，M4)的源极耦合至所述第五晶体管(M1)的漏极，所述第二和第四晶体管(M6，M5)的源极耦合至所述第六晶体管(M2)的漏极，所述第五和第六晶体管(M1，M2)的源极耦合至地面，所述第一和第四晶体管(M3，M5)的漏极耦合至一混频器输出端口的一输出端子(IF+)，且所述第二和第三晶体管(M6，M4)的漏极耦合至所述混频器输出端口的另一输出端子(IF－)。 | ||
| 搜索关键词： | rf 前端 接收机 | ||
【主权项】：
1、一种RF前端接收机，其包括连接至一混频器相应输入端口的一低噪声放大器和一本地振荡驱动器，所述混频器包括：一第一和一第二晶体管(M3，M6)，其栅极耦合至所述混频器的一第一输入端口的一输入端子(RF+)；一第三和一第四晶体管(M4，M5)，其栅极耦合至所述混频器的所述第一输入端口的另一输入端子(RF-)；一第五和一第六晶体管(M1，M2)，其栅极耦合至所述混频器的一第二输入端口的相应输入端子(L0+，L0-)；所述第一和第三晶体管(M3，M4)的源极耦合至所述第五晶体管(M1)的漏极；所述第二和第四晶体管(M6，M5)的源极耦合至所述第六晶体管(M2)的漏极；所述第五和第六晶体管(M1，M2)的源极耦合至地面；所述第一和第四晶体管(M3，M5)的漏极耦合至一混频器输出端口的一输出端子(IF+)；且所述第二和第三晶体管(M6，M4)的漏极耦合至所述混频器输出端口的另一输出端子(IF-)；其特征在于：所述低噪声放大器(LNA)通过其输出端子连接至所述混频器的所述第一输入端口(RF+，RF-)；及所述本地振荡驱动器(LOD)通过其输出端子连接至所述混频器的所述第二输入端口(L0+，L0-)。
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- RF前端接收机-200380107089.1
- A·里特温;G·卡蒂雷桑 - 因芬尼昂技术股份公司
- 2003-12-17 - 2006-02-01 - H04B1/28
- 本发明提供一种RF前端接收机，其包括连接至一混频器相应输入端口的一低噪声放大器(LNA)和一本地振荡驱动器(LOD)。所述混频器包括其栅极耦合至所述低噪声放大器(LNA)的一输出端子(RF+)的一第一和一第二晶体管(M3，M6)、其栅极耦合至所述低噪声放大器(LNA)的另一输出端子(RF－)的一第三和一第四晶体管(M4，M5)、其栅极耦合至所述本地振荡驱动器(LOD)相应输出端子(LO+，LO－)的一第五和一第六晶体管(M1，M2)，其中所述第一和第三晶体管(M3，M4)的源极耦合至所述第五晶体管(M1)的漏极，所述第二和第四晶体管(M6，M5)的源极耦合至所述第六晶体管(M2)的漏极，所述第五和第六晶体管(M1，M2)的源极耦合至地面，所述第一和第四晶体管(M3，M5)的漏极耦合至一混频器输出端口的一输出端子(IF+)，且所述第二和第三晶体管(M6，M4)的漏极耦合至所述混频器输出端口的另一输出端子(IF－)。
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