[发明专利]局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法无效
| 申请号： | 200310119925.X | 申请日： | 2003-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1508843A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯启治;平井诚作;条边文彦;田中智之 | 申请（专利权）人： | 大阪府;星电器制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/84;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供适用于制造电子－光学联合器件的单晶氮化镓局域化基底，所述联合器件中电子器件和光学器件混合装在同一硅基底上。在硅基底100上局部存在有单晶氮化镓410生长的区域，其形成是在硅基底100上形成碳化硅200，再在此碳化硅200上局部生成单晶氮化镓410。在生成所述单晶氮化镓410过程中氮化硅220用作掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 存在 有单晶 氮化 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.局部存在有单晶氮化镓的基底，在其单晶硅基底上包括局部生长有单晶氮化镓的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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