[发明专利]连结垫结构及其制造方法有效
申请号: | 03156817.3 | 申请日: | 2003-09-08 |
公开(公告)号: | CN1499592A | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
发明(设计)人: | 林明裕;何濂泽;丁茂益 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/3205 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种连结垫结构及其制造方法,是由一沉积于上层导体层上具有数个独立介电质岛的内层介电层、沉积于独立介电质岛上的阻障层、配置于阻障层上与独立介电质岛间的导体材质以及定义成数个连结垫的金属层所组成。其中,独立介电质岛可以是一格栅状结构,且导体材质配置于格栅状结构的沟渠中,以及金属层配置于格栅状结构上。 | ||
搜索关键词: | 连结 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成连结垫结构的方法,其特征是,其步骤包括:沉积一内层介电层于一上层导体层上;于该内层介电层中定义一在该上层导体层上方具有复数个独立介电质岛的结构;沉积一阻障层于该些独立介电质岛上;形成一导体材质于该些独立介电质岛之间;沉积一金属层;以及在该金属层中定义复数个连结垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03156817.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子元件的封装结构及其制造方法
- 下一篇:电路布线板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造