[发明专利]多沉积步骤的高浓度等离子化学气相沉积方法

摘要

一种多沉积步骤的高浓度等离子化学气相沉积方法，用于在带有间隙的半导体衬底上形成薄膜并完全填充该间隙，间隙种类包括晶体管闸门、内连线、以及蚀刻槽，高宽比大于4，宽度为0.1－0.2μm；本方法包括至少二次高浓度等离子化学气相沉积步骤，其中每一次沉积的D/S值不同，第一D/S值为7－20，第二D/S值为2.5－8；由于不需额外的蚀刻，而只采用两个或两个以上的不同D/S参数值的沉积步骤就可获得较佳的填充能力，本发明明显缩短了操作所需时间，降低了生产成本，提高了效率。

主权项

1.一种多沉积步骤的高浓度等离子化学气相沉积方法，用于在带有间隙的半导体衬底上形成将该间隙完全填充的薄膜，其特征是：该方法包括至少二次高浓度等离子化学气相沉积步骤，其中每一次沉积的D/S值不同。