[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法和电子元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 03147531.0 申请日: 2003-07-09
公开(公告)号: CN1472776A 公开(公告)日: 2004-02-04
发明(设计)人: 伊藤祥代;伊藤正光;莲沼正彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/09
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 由基板;基板上选择性形成的半透明膜;以及半透明膜上选择性形成的遮光膜构成的光掩模,将基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2,各自的厚度(m)设为d0、d1、d2,半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2,在没有形成遮光膜的区域的半透明膜被覆率设为h,假设系数k1到k4分别为k1=1.3×10-8,k2=-9.5×10-2,k3=6.0×10-7,k4=-5.2×10-2,则满足:≤1.4×10-4(m-1)的条件。
搜索关键词: 光掩模 制造 方法 电子元件
【主权项】:
1.一种光掩模,包括:具备基板;所述基板上选择性地形成的半透明膜;以及所述半透明膜上选择性地形成的遮光膜,将所述基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2,各自的厚度(m)设为d0、d1、d2,所述半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2,在没有形成所述遮光膜的区域的所述半透明膜的被覆率设为h,设定系数k1到k4分别为k1=1.3×10-8,k2=-9.5×10-2,k3=6.0×10-7,k4=-5.2×10-2,则满足: | 1 E 0 · d 0 · { h · ( k 1 · s 1 E 1 · d 1 + k 2 ) + ( k 3 · s 2 E 2 · d 2 + k 4 ) } | 1.4 × 10 - 4 ( m - 1 ) 的条件。
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