[发明专利]制作一高密度电容的方法

摘要

一种制作一高密度电容的方法，先于一半导体基底表面的一介电层中形成至少一第一沟槽，接着于该半导体基底表面依序形成一第一衬层以及一第一导电层，并于该半导体基底表面进行一第一平坦化制程；随后于该介电层中形成至少一第二沟槽，且该第二沟槽与该第一沟槽具有一共用侧壁；之后再于该半导体基底表面依序形成一电容介电层、一第二衬层以及一第二导电层，于该半导体基底表面进行一第二平坦化制程，并暴露出该第一导电层表面与该第二导电层表面，使该第一导电层、该电容介电层与该第二导电层形成具有垂直三维空间结构的该高密度电容；本方法可大幅降低线路设计面积、减少光罩使用数目，达到提高电容密度以及元件积集度、以及降低生产成本的优点。

主权项

1.一种于一半导体基底制作一高密度电容的方法，该半导体基底包含有一介电层，其特征是：该方法包含有下列步骤：于该介电层中形成至少一第一沟槽；于该半导体基底表面依序形成一第一衬层以及于该第一衬层表面形成一第一导电层，并使该第一导电层填满该第一沟槽；去除部分的该第一导电层以及该第一衬层，以使该半导体基底具有一约略平坦表面；于该介电层中形成至少一第二沟槽，且该第二沟槽与该第一沟槽具有一共用侧壁；于该半导体基底表面形成一电容介电层；于该半导体基底表面依序形成一第二衬层以及于该第二衬层表面形成一第二导电层，并使该第二导电层填满该第二沟槽；去除部分的该第二导电层以及该第二衬层，以使该半导体基底具有一约略平坦表面；以及去除部分的该电容介电层，以暴露出该第一导电层表面与该第二导电层表面，并使该第一导电层、该电容介电层与该第二导电层形成具有垂直三维空间结构的该高密度电容。