[发明专利]单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法有效
| 申请号： | 02145712.3 | 申请日： | 2002-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1411035A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;弘田龙;冈久拓司;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基板 镓长晶 方法 制造 | ||
【主权项】：
1、一种单晶氮化镓基板，其特征在于，具有表面和背面，表面具有低缺陷单晶区Z和晶体缺陷集合区H、H；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展、有宽；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展、有宽，并在宽度方向两侧具有交界线K、K，介于交界线K与所述低缺陷单晶区Z相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02145712.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
