[发明专利]制造电场放射型电子源的方法和装置无效
| 申请号： | 02124448.0 | 申请日： | 2002-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1395272A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 菰田卓哉;栎原勉;相泽浩一;本多由明;渡部祥文;幡井崇;马场彻 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电场放射型电子源10，具有n型硅基板1、在n型硅基板1的1个表面上形成的漂移层6(强电场漂移层)、在漂移层6上形成的表面电极7。通过外加电压，使表面电极7相对于n型硅基板1为正极，从而由n型硅基板1注入漂移层6中的电子在该漂移层6中漂移，通过表面电极7被释放出。在该电场放射型电子源10的制造过程中，形成漂移层6时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电场 放射 电子 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制造电场放射型电子源的方法，该电子源具有导电性基板、在导电性基板的1个表面上形成的强电场漂移层、在强电场漂移层上形成的导电性薄膜，通过外加电压，使导电性薄膜相对于导电性基板为正极，从而由导电性基板注入强电场漂移层中的电子在该强电场漂移层中漂移，通过导电性薄膜被释放出，该制造方法包括：在形成强电场漂移层时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层的阳极氧化处理工序，以及在各半导体微晶体表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序，在阳极氧化处理工序中，对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化处理。
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