[发明专利]2,7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物无效

专利信息
申请号: 02108267.7 申请日: 1996-07-26
公开(公告)号: CN1376658A 公开(公告)日: 2002-10-30
发明(设计)人: E·P·伍;M·英巴塞卡朗;W·R·史安格;G·R·鲁夫 申请(专利权)人: 陶氏化学公司
主分类号: C07C25/00 分类号: C07C25/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及2,7-取代的-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物。芴、低聚物和聚合物在9-位被两个烃基部分取代,这两个烃基可任意地被一个或多个硫、氮、氧、磷或硅杂原子取代;与芴环上的9-碳一起形成C5-20环结构或含一个或多个硫、氮或氧杂原子的C4-20环结构;或是烃亚基部分。在一个实例中,芴在2-和7-位被芳基部分取代,该芳基可被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基进一步取代。芴的聚合物和低聚物可在2-和7′-位被取代。芴的低聚物和聚合物的单体单元彼此在2-和7′-位连接。在端位的2,7′-芳基部分上的任意适于进行链延伸或交联的部分进行延伸或交联,使2,7′-芳基-9-取代的芴低聚物和聚合物可进一步彼此反应,生成更高分子量的聚合物。还公开了用于制备公开的化合物的方法。
搜索关键词: 芳基 取代 低聚物 聚合物
【主权项】:
1.根据式I或II之一的一种取代的芴化合物,其中:R1在每种情况下独立地是C1-20烃基或含一个或多个S、N、O、P或Si杂原子的C1-20烃基,或两个R1与芴环上的9-碳一起形成C5-20环结构或含一个或多个S、N或O杂原子的C4-20环结构;R2在每种情况下独立地是C1-20烃基、C1-20烃氧基、C1-20硫醚、C1-20烃基羰基氧基或氰基;R3在每种情况下独立地是C1-20烃基或被二(C1-20烷基)氨基、C1-20烃基氧基、三(C1-10烷基)甲硅烷氧基或C1-20烃基取代的C1-20烃基,a在每种情况下独立地是0或1;和X在每种情况下独立地是卤素部分或硼酸,条件是当式(I)中X为卤素部分时,R1是有至少4个碳原子的烷基。
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