[发明专利]制造含有粘接于－目标基片上的－薄层的－叠置结构的方法有效
| 申请号： | 01818336.0 | 申请日： | 2001-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1473361A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | H·莫里切奥;B·阿斯帕;E·亚拉圭尔;F·勒特尔特雷 | 申请（专利权）人： | 法国原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造含有至少一层粘接到一目标基片上的薄层的一叠置结构的方法，该方法包括如下步骤：a)用一个初始基片形成一层薄层，该薄层的自由面称作第一接触面；b)使第一接触面与一个中间支撑的一个面进行粘结接触，得到的结构可兼顾以后初始基片的变薄；c)将所述初始基片弄薄，从而显示出一个称作第二接触面的薄层自由面，该自由面与所述第一自由面对置；d)使目标基片的一个面与所述第二接触面的至少一部分进行粘结接触，得到的结构可兼顾以后去掉所述中间支撑的全部或部分；e)去掉所述中间支撑的至少一部分，这样就能得到所述的叠置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 含有 目标 基片上 薄层 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造含有至少一层粘接到一目标基片(15)上的薄层的一叠置结构的方法，该方法包括如下步骤：a)用一个初始基片(1)形成一层薄层(7)，该薄层(7)的自由面称作第一接触面(8)；b)使第一接触面(8)与一个中间支撑(10)的一个面(11)进行粘结接触，得到的结构适用于以后对初始基片的变薄；c)将所述初始基片(11)弄薄，从而显示出一个称作第二接触面(14)的薄层自由面，该自由面与所述第一自由面(8)对置；d)使目标基片(15)的一个面与所述第二接触面(14)的至少一部分进行粘结接触，得到的结构适用于以后去掉所述中间支撑的全部或部分；e)去掉所述中间支撑(10)的至少一部分，这样就能得到所述的叠置结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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